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新聞中心

2022-03-07
偉詮電子宣布推出採用WT7162Rx高頻多模準諧振式反激式控制晶片搭配氮化鎵的超小型化USB PD充電器參考設計
偉詮電子宣布推出採用WT7162Rx高頻多模準諧振式反激式控制晶片搭配氮化鎵的超小型化USB PD充電器參考設計。此參考設計可加速超小型化USB PD充電器的設計。

WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高頻/多模式反激式PWM控制晶片,具備準諧振模式切換和波谷切換的非連續導通模式(QR/DCM with valley switching)。這系列控制晶片有效的提高充電器之整體效率並優化產品性能,大幅減少周邊使用零件數目和降低材料成本。

這控制晶片在高輸出功率期間,以準諧振切換模式運行,並在中/低輸出功率期間,降低開關頻率並支持非連續導通模式下的谷底開關切換,使充電器能夠在整個輸出功率範圍內實現最佳轉換效率。

基於充電器之安全防護,本控制晶片提供了全面性保護機制,例如X-Cap自動放電保護、交流電源欠電壓保護(BNI/BNO)、輸出過電壓保護(OVP)、輸出短路保護(SCP) 、內含過溫度保護(OTP)、輸出過載保護(OLP) 等,並且針對寬輸出電壓應用,提供了適應性過功率保護(OPP)和適應性調降頻率之效率優化技術等。

由於獨特的超高壓取電技術,除了可以支持業界USB PD3.0 with PPS(programmable power supply)最嚴苛的輸出電壓3.3V~21V 需求之外,藉此大幅減少外部應用電路,達到性能優化與成本降低的兩大優勢。

此系列控制晶片包含了WT7162RH和WT7162RG兩個版本。WT7162RH 專門使用於 super junction MOSFET,而WT7162RG提供6V箝制閘極電壓,用於直接驅動新世代化合物半導體氮化鎵(GaNFET)功率開關。

參考設計是一60W USB PD充電器(5V/3A; 9V/3A; 12V/3A; 20V/3A; PPS 3.3V~21V/3A),該設計包含WT7162Rx具有超高壓啟動之PWM控制晶片、WT7131A支持CCM/DCM高頻同步整流之控制晶片、和WT6636F USB PD協議控制晶片,搭配GaNFET功率開關,兼具高效率和小型化設計(長: 43mm/寬: 43mm/高: 22mm),並通過 EMC/ESD/Surge測試,且支援USB PD 3.0 PPS 和Qualcomm Quick Charge 4+快充協議。
 
偉詮電子60W超小型化氮化鎵USB PD充電器參考設計
偉詮電子60W超小型化氮化鎵USB PD充電器參考設計

新聞來源: http://www.weltrend.com.tw/zh-tw/news/detail/665/2

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